Update cheatsheet.fr.md

12.temporary_ins/15.electrokinetics/20.overview/cheatsheet.fr.md

@@ -244,9 +244,30 @@ $`\quad \varphi_0`$ : phase à l'origine ($`t=0`$), d'unité SI $`rad`$.<br>
 
 ### Quelle est la différence entre les conducteurs et les semi-conducteurs solides ?
 
-à faire.
 
-Après une description des phénomènes de transport, parler des différents types de porteurs de charges, électrons et trous (lacunes électroniques)
+Dans le silicium cristallin (élément chimique de la colonne IV du tableau périodique des éléments), 
+chaque atome du réseau possède quatre plus proches voisins, avec chacun desquels il met en commun
+un électron de valence. 
+
+Si thermiquement ou induit par photon, un de ces électrons est libéré de la liaison où il était confiné, 
+il devient un électron libre pour la conduction. Un champ électrique appliqué donné lui 
+communique une vitesse moyenne de dérive ve.   
+![](semiconductors-charge-current-transport-2_L600)
+
+Cependant il reste une lacune dans la liaison d’où il provient. Un électron de valence voisin 
+peut sauter et combler cette lacune, mais il laisse alors lui-même une lacune, lacune que peut 
+combler un autre électron de valence voisin. Plutôt que de considérer ces sauts d’électrons de
+lacune en lacune, il est équivalent de considérer la lacune comme une charge positive 
+appelée « trou » (de charge opposée à la charge électronique) qui se déplace elle-même sous
+l’effet du champ électrique appliqué dans le sens opposé à celui des électrons de conduction.
+On conçoit aisément que ces sauts de lacune en lacune conduisent pour ce trou à une vitesse
+de dérive vt bien inférieure à celle des électrons libres.   
+
+![](semiconductors-charge-current-transport-3_L600)   
+**est équivalent à**
+![](semiconductors-charge-current-transport-3_L600)
+
+
 
 ### Que sont la vitesse de dérive et la mobilité ?